100V BoostPak Lösung von Fairchild Semiconductor ermöglicht LED-Anwendungen mit höherer Zuverlässigkeit und niedrigeren Systemkosten

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Integrierte Lösung beinhaltet MOSFET und Diode in einem Gehäuse, sie vereinfacht dadurch die Fertigung und spart Platz

Pressemeldung der Firma Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor, (NYSE: FCS) ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleitern für Leistungselektronik und mobile Anwendungen. Im Zuge der Optimierung der Halbleiterbausteine hat Fairchild Semiconductor eine neue Familie von 100 V BoostPak Bauteilen vorgestellt, welche MOSFET und Diode in einem Gehäuse enthalten. Diese optimierte Auswahl von Leistungselektronikbauteilen ersetzt bisher diskrete Lösungen, die beispielsweise in LED-Hintergrundbeleuchtungen von Fernsehgeräten und Monitoren, aber auch in LED-Beleuchtungen und DC-DC-Wandlern eingesetzt werden.

Durch die Integration von MOSFET und Diode, (FDD1600N10ALZD und FDD850N10LD) in einem einzigen D-Pak Gehäuse reduziert sich die Gesamtanzahl der Bauteile in der Applikation. Daraus resultiert zum einen eine Minimierung der Bauteile d.h. Reduzierung der Materialkosten, Vereinfachung der Fertigung. sowie Verbesserung der Zuverlässigkeit der Anwendung und eine größere Leistungsdichte.

Das jeweilige Bauteil beinhaltet einen N-Kanal-MOSFET auf Basis des PowerTrench®-Prozess von Fairchild, der einen minimalen Durchlasswiderstand bietet. Die eingesetzte Diode ist ein extrem schneller Gleichrichter mit ebenfalls minimiertem Spannungsabfall in Durchlassrichtung. Die Kombination dieser beiden Bauteile in einem einzigen Gehäuse ermöglicht ein ausgezeichnetes Schaltverhalten. Des Weiteren zeichnet sich die Diode durch einen sehr viel niedrigeren Leckstrom verglichen mit einer Schottky-Diode, was zudem die Systemzuverlässigkeit in Hochtemperaturanwendungen verbessert.

Wichtige Eigenschaften:

FDD1600N10ALZD:

– RDS(ON) = 124 mΩ (typ.) @ VGS = 10 V,

– RDS(ON) = 175 mΩ (typ.) @ VGS = 5 V,

– Minimiertes Qg = 2,78 nC (typ.)

FDD850N10LD:

– RDS(ON) = 61 mΩ (typ.) @VGS = 10 V,

– RDS(ON) = 64 mΩ (typ.) @VGS = 5.0 V,

– Minimiertes Qg = 22,2 nC (typ.)

Beide:

– Minimierte Schaltzeiten

– 100 % Avalanche-getestet

– Verbessertes dv/dt-Verhalten

– RoHS-konform

Preise und Gehäusetypen

Preis: ab 1.000 Stück

FDD1600N10ALZD: US$ 0,49

FDD850N10LD: US$ 0,57

Verfügbarkeit: Muster sind auf Anfrage erhältlich.

Lieferzeit: 8-12 Wochen

Fairchild Semiconductor bietet Lösungen für Anwendungen in der Leistungselektronik – und Hintergrundbeleuchtungslösungen für alle Fernseh- und Monitoranwendungen an, einschließlich PDP-TV, LCD-TV und Monitore, sowie LED-TV und Monitore. Durch kleine Baugrößen, die speziell für Anwendungen mit nur wenig Platz geeignet sind, können die Entwickler ihre Produkte differenzieren und gleichzeitig eine höhere Leistungsdichte und größere Zuverlässigkeit erreichen.

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