United Silicon Carbide Inc., ein Spezialist auf dem Gebiet SiC-basierter Leistungselektronik, erweitert sein Portfolio an SiC Schottky-Dioden um die neue 1200 V Serie UJ2D12xx. Mit ihrer äußerst niedrigen Sperrverzögerungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C sind die neuen Komponenten hervorragend für hochfrequente und hocheffiziente Leistungssysteme mit minimalen Kühlungsanforderungen geeignet.
Die neuen 1200 V Schottky-Dioden weisen die gleiche hervorragende Effizienz, hohe Leistungsdichten und eine hohe Betriebssicherheit wie die 650 V Schottky-Dioden von USCi auf. Der Durchlassstrom beträgt je nach Typ zwischen 5 und 30 A bei einer Flussspannung von 1,5 V. Während die Komponenten UJ2D1205T, UJ2D1210T und UJ2D1215T mit einem Strom von jeweils 5, 10 oder 15 A im TO220-2L-Gehäuse erhältlich sind, weisen die Dioden UJ2D1220K und UJ2D1230K mit einem Strom von 20 bzw. 30 A ein TO247-Gehäuse auf.
Zu den Einsatzgebieten der UJ2D12xx-Serie gehört eine Vielzahl von Anwendungen in der Industrie- und Hochtemperatur-Leistungselektronik wie z. B. Energieversorgungen, Solar- und Windwechselrichter, Motortreiber, Gleichrichter, Energiespeicher sowie Hybridfahrzeuge.
Produkteigenschaften:
– Positiver Temperaturkoeffizient für einen sicheren Betrieb und die einfachere Möglichkeit einer Parallelschaltung
– Hohe Schaltgeschwindigkeit
– Maximale Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C
– Nahezu keine Sperr- oder Durchlassverzögerung
Anwendungsgebiete:
– Antriebsschlupfregelung
– Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
– Werkzeugmaschinen
– Robotik und HF-Versorgung
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