Pressemeldung der Firma setron GmbH
Taiwan Semiconductor stellt den neuen N-Kanal Leistungs-MOSFET TSM600N25E vor. Der neue Baustein zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung VDS von 250 V aus und weist einen Drainstrom ID von 8 A sowie einen maximalen Durchgangswiderstand RDS(ON) von 0,6 Ω auf. Ein verbesserter ESD-Schutz gehört ebenfalls zu seinen Ausstattungsmerkmalen. Mit seiner niedrigen Gateladung Qg von 8,4 nC eignet er sich hervorragend für einen Einsatz in Spannungsversorgungen und der Beleuchtungstechnik.
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Neues von setron: Neuer N-Kanal Leistungs-MOSFET TSM600N25E von Taiwan Semiconductor
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