Fünf neue P-Kanal-MOSFETs mit minimal 4,2 mΩ On-Widerstand im nur 3,3 x 3,3 mm2 großen HVSON-Gehäuse

Reduzieren den Leistungs- und Platzverbrauch im System

Pressemeldung der Firma MSC Vertriebs GmbH

Fünf besonders verlustarme und gleichzeitig extrem kleine neue P-Kanal-MOSFETs von Renesas Electronics hat MSC in ihr Vertriebsprogramm aufgenommen.

Die Bauteile wurden für den Einsatz in Ladekontroll-Schaltern für Lithium-Ionen-Sekundärbatterien oder Power-Management-Schaltern zum Ein- und Ausschalten von Netzgeräten optimiert. Sie zeichnen sich durch einen gegenüber den Vorgängerprodukten um bis zu 50 Prozent reduzierten Arbeitswiderstand und eine um bis zu Faktor drei reduzierte Gehäusegröße aus.

Spitzenmodel ist der in einem nur 3,3 x 3,3 mm2 großen HVSON-Gehäuse untergebrachte P-Kanal-MOSFET µPA2812T1L mit einem typischen Arbeitswiderstand von 4,2 mΩ. Durch den geringen On-Widerstand reduziert sich in vielen Fällen der Bauteilebedarf. Weitere signifikante Platzeinsparungen lassen sich durch das im Vergleich zum bisher verwendeten, dreimal so großen SOP-8-Gehäuse wesentlich kompaktere Gehäuse erzielen.

Das HVSON-Gehäuse ist so ausgelegt, dass die Verlustwärme aus dem Inneren des Gehäuses über den offen liegenden Lead-Frame an die Leiterplatte abgegeben werden kann. Dank dieser besonders effizienten Wärmeableitung lassen sich beispielsweise wesentlich kompaktere Li-Ionen-Akkus entwickeln.

Datenblätter der neuen P-Kanal-MOSFETs können unter renesas-power@msc-ge.com angefordert werden.



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    • P-Kanal-MOSFETs
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