CISSOID, der Marktführer von Hochtemperatur-Halbleiterlösungen, präsentiert die zweite Generation von HADES®, dem isolierten Hochspannungs-Gatetreiberchipset mit höchster Zuverlässigkeit. HADES® kann sowohl hocheffiziente Siliziumcarbid- (SiC) als auch konventionelle Silizium- Leistungsschalter treiben.
Die vier Leitziele des HADES® Gen2 sind:
Maximierung der Vorteile der neuesten SiC-Leistungsschalter: Erhöhte Schaltfrequenzen bewirken eine drastische Reduktion von Größe und Gewicht der passiven und magnetischen Komponenten, während schnellere Schaltzeiten zu einer erhöhten Energieeffizienz der Wandler und Motortreiber führen
– Der weite Betriebstemperaturbereich von HADES® erlaubt eine Positionierung des Treibers in der Nähe der Leistungsschalter und damit eine Minimierung der parasitären Induktivitäten und ihres negativen Einflusses auf die Effizienz
– Berücksichtigung der unterschiedlichen Anforderungen von sowohl Hochtemperaturanwendungen (z. B. Betriebstemperatur von 225 °C) als auch niedrigeren Temperaturen (100~175 °C) in Verbindung mit der einzigartigen Silizium-Lebensdauer (es werden verschiedene Wahlmöglichkeiten des Temperaturbereiches für die unterschiedlichen Anforderungen erhältlich sein)
– Höchster Integrationsstand für die Miniaturisierung der Gatetreiberfunktion erlaubt vollständige Gatetreibermodule und intelligente Leistungsmodule
HADES® ist im Stande, jede auf dem Markt erhältliche Gatetreiberlösung im Hinblick auf diese Leistungsfaktoren zu übertreffen. Er wurde optimiert, um die Anforderungen von großvolumigen, kostensensitiven Anwendungen inklusive Industrie- und Automotive-Bereich sowie die aller Systeme mit einer Betriebstemperatur von über 100 °C zu erfüllen.
Die integrierten Schaltkreise HADES® Gen2 werden mit denen der vorangegangenen Generation von HADES (aktuelles Referenzdesign von CISSOID, welches auf ihren THEMIS, ATLAS und RHEA Chips basiert) rückwärts kompatibel bleiben. Diese zweite Generation von Gatetreibern stellt eine höher integrierte Lösung dar, was sich in einer weiteren Verbesserung der Kompaktheit widerspiegelt. Ein besonderes Augenmerk wurde auf die Unterstützung einer großen Anzahl von aktuell erhältlichen SiC-Leistungsschaltern gelegt, dazu gehören auch MOSFETs, JFETs und BJTs.
Tony Denayer, CEO bei CISSOID, sagt: „In 2011 waren wir die ersten auf dem Markt mit HADES, der ersten isolierten Gatetreiberlösung für SiC-Leistungsbauelemente mit schnellen Schaltzeiten. Die Akzeptanz auf dem Markt war enorm und viele Kunden aus verschiedenen Anwendungsbereichen bestätigten ihre Designs auf der Technologie-Ebene mit unserem Chipset. Für ihre umfangreichen Entwicklungen erwarten sie nun eine höher integrierte Version von uns, welche einen Einsatz in Hybridmodulen oder konventionellen PCB-Layouts findet. Der HADES V2 wird ab Mitte 2014 erhältlich sein und die Anzahl an Chips in einer vollen 1200 V Halbbrücken-Topologie drastisch verringern, während die Verlässlichkeit unverändert bleibt. Als Beispiel wird ein Motortreiber-Inverter mit einem Einsatzprofil bis 125 °C eine erwartete Lebensdauer von 30 oder mehr Jahren erreichen – diese Werte können heute mit keiner herkömmlichen Lösung erreicht werden.“
CISSOID wird das HADES® V2 Chipset als komplette Modulversion seines Gatetreibers in einem verlässlichen hermetischen Modul anbieten und damit die Implementation von Leistungswandlern mit einer Auslegung bis 225 °C stark vereinfachen.
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CISSOID stellt HADES® Gen2