AOS, der Spezialist für Leistungshalbleiter und -ICs, kündigt mit den AON6970 und AON6978 zwei neue 30 V PairFET(TM) -Bauelemente mit hoher Leistungsdichte in asymmetrischer dualer Verschaltung (integrierter High-Side und Low-Side MOSFET) in einem DFN5x6 Gehäuse an. Die Komponenten eignen sich hervorragend für DC/DC-Hochleistungslösungen für Point-of-Load Wandler in Netzwerkkomponenten, Servern, modernen Notebooks, Desktops und Embedded-PCs als auch für isolierte DC/DC-Wandler in Telekommunikations- und allgemeinen Industrie-Applikationen.
Durch ihre AlphaMOS(TM) -Technologie weisen die neuen PairFETs äußerst niedrige Werte für den Durchgangswiderstand RDS(ON) und die Gateladung auf und können dadurch mit einer höheren Schaltfrequenz arbeiten. Damit stellen sie hocheffiziente Lösungen in einem kompakten DFN5x6 Gehäuse dar. Die asymmetrische Konfiguration der PairFETs verbessert die Performance, indem die Chipfläche des Low-Side MOSFETs erhöht werden kann um die niedrigsten Leitungsverluste zu erreichen. Aufgrund der Kombination AlphaMOS-Niederspannungstechnologie mit der effektiven Gehäusekonfiguration der PairFET(TM) -Bauelemente weist der AON6970 einen Durchgangswiderstand von 2,3 mΩ bei VGS=4,5 V auf der Low-Seite auf.
„Die neuen PairFETs von AOS vereinfachen Leistungsdesigns und sparen Platz in hocheffizienten synchronen DC/DC Single- und Multiphasen-Abwärtsreglern, indem eine optimierte Kombination von High-Side und Low-Side MOSFETs in einem gemeinsamen kompakten Gehäuse geboten wird“, sagt Yalcin Bulut, Vice President of Discrete Product Lines bei AOS.
Die neuen Komponenten AON6970 und AON6978 sind zu 100 % Rg- und UIS-getestet sowie RoHS-konform und halogenfrei.
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